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本发明公开了一种制备In1-xGaxP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，以In2O3，Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%～100%相当的无水乙醇，用10～15MPa的压力将其压成厚度为1～10...
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