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本发明属于太阳电池领域，提出了一种全背接触太阳电池表面场的制作方法，包括：在抛光或者制绒的n型硅片衬底表面二上采用热扩散的方法形成p型掺杂的掺杂层一；在已形成p型掺杂的掺杂层一的表面二上沉积介质薄膜一；对表面二上的介质薄膜一的局部区域进行刻...
该专利属于苏州润阳光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州润阳光伏科技有限公司授权不得商用。

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