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本发明公开了一种既不增加光照次数、又能克服寄生JEFT效应的斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型漂移区，其表面为第一主面，半导体基板的下部为第一导电类型衬底，其表面为第二主面；第一主面上设置有至少一个斜沟槽...
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