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本发明公开的Si纳米线阵列的制备方法，采用的是金属辅助化学刻蚀法，以氢氟酸和硝酸银混合配制成反应液I，氢氟酸与双氧水混合配制成反应液II，重掺（100）型硅片通过在反应液I和反应液II两步反应，在重掺（100）硅片上刻蚀得到Si纳米线阵列。...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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