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本发明涉及通式(I)的化合物。本发明还涉及制备该化合物的方法、可由该方法获得的化合物、这些化合物的用途、半导体层和电子组件。...
该专利属于赫劳斯贵金属有限两和公司所有，仅供学习研究参考，未经过赫劳斯贵金属有限两和公司授权不得商用。

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