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公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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