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光电二极管制造技术
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文档序号:9199455
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本发明提供了一种光电二极管,其包括有一第一型基底,而第一型基底内包含一第二型掺杂井与一第二型掺杂区,并形成一隔离层包围第二型掺杂井且与第二型掺杂井并不接触;第二型掺杂区形成于第二型掺杂井内,并且从第二型掺杂井的表面延伸;一保护层,覆盖第一型...
该专利属于林大伟;张云山所有,仅供学习研究参考,未经过林大伟;张云山授权不得商用。
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