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本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，本发明提供一种AlGaN/GaN?HEMT，所述AlGaN/GaN?HEMT包括化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上方的栅电极、以及形成在化合物半导体层叠结构与栅电极之间的p型...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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