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本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGan/GaN?HEMT，其包括在SiC衬底上的层叠化合物半导体结构以及形成在层叠化合物半导体结构上的栅电极，其中在层叠化合物半导体结构的与栅电极对准的下部区域中p型杂质(Mg)...
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