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本发明公开了一种具有壳核结构的纳米硅复合材料的制备方法，直接采用高纯度半导体（9N级晶硅）或太阳能级（6N级晶硅）铸锭的硅棒，通过电弧放电、高温等离子体气化、活化处理、溶液接枝途径强化半导体硅掺杂元素磷或硼的含量，成品转化率和纯度较高，制得...
该专利属于刘国钧所有，仅供学习研究参考，未经过刘国钧授权不得商用。

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