温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

自参考MRAM单元以及用于写入该单元的方法。本公开涉及一种用于写入包括磁隧道结的自参考MRAM单元的方法，该磁隧道结包括：存储层，该存储层包括具有第一存储磁化的第一铁磁层，具有第二存储磁化的第二铁磁层，以及分离该第一和第二铁磁层的非磁性耦合...
该专利属于克罗科斯科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过克罗科斯科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。