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本发明提供一种带有InAlP盖层的GeSn沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的GeSn沟道（101），GeSn沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜（103...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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