温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种半导体器件。一个实施例包括横向HEMT（高电子迁移率晶体管）结构，该横向HEMT结构具有两个不同III族氮化物半导体化合物之间的异质结和布置在异质结上的层。所述层包括III族氮化物半导体化合物和阻碍该层中电流流动的至少一个阻挡物。...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。