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一种具有系列P浮空埋层的RC-IGBT，属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT基础上，通过增加P浮空层（10）（位于介质埋层（12）上方的N缓冲层（7）中）、介质埋层（12）（位于N集电区（8）和P集电区（9）之间）、系列P浮...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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