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本发明涉及电荷补偿半导体器件。一种半导体器件包括具有限定竖直方向的第一表面的半导体本体和布置在第一表面上的源极金属化。在竖直横截面中，半导体本体进一步包括：第一传导类型的漂移区域；第二传导类型的至少两个补偿区域，每个补偿区域与漂移区域形成p...
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