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本发明公开了一种逆导型IGBT半导体器件，穿通型IGBT器件的集电区由减薄后的硅基片组成，在硅基片的背面形成有沟槽，该沟槽穿过穿通型IGBT器件的集电区并和缓冲层相接触，通过在沟槽中填充第一导电类型的多晶硅或外延层、或在沟槽的底部形成第一导...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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