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本发明公开了一种含有非极性m面GaN缓冲层的InN半导体器件的制备方法，步骤是：（1）将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；（2）在γ面LiAlO2衬底上生长厚度为30-100nm，温度为500-600℃的低温Al...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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