温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种降低有源区工作温度的LED结构，包括衬底层、本征GaN层、n-GaN限制层、有源区发光层、p-GaN限制层、p面电极和n面电极，其中：在所述p-GaN限制层的上表面或下表面上设置有孔洞，形成孔洞阵列，所述孔洞的周期为2-20μ...
该专利属于山东华光光电子有限公司;山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子有限公司;山东大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。