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本发明涉及常关闭型化合物半导体隧道晶体管。本文公开了常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管的实施例，常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管在室温下具有高于100mA每mm栅极长度的驱动电流和低于60mV每十倍的亚阈值斜率，并且公开了制造此类常关...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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