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本发明涉及非易失性存储器及其制造方法，尤其涉及包含由沟道区域中形成有绝缘隔离膜的晶体管构成的存储单元的非易失性存储器及其制造方法。本发明的非易失性存储器以MOS晶体管为基本结构并至少在沟道区域形成绝缘隔离膜，栅绝缘层由绝缘膜或可变电阻构成而...
该专利属于权义弼所有，仅供学习研究参考，未经过权义弼授权不得商用。

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