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本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成氧化层和刻蚀阻挡层；刻蚀形成沟槽；沉积掺碳氮化硅材质的衬垫层覆盖所述沟槽的底面和侧壁；进行热氧化工艺和退火工艺；沉积隔离材料填充所述沟槽；进行化学机械研磨；刻蚀去除浅沟槽外...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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