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本发明提供一种具备高的剩余磁通密度且可以通过小的外部磁场使磁力可逆地变化的磁性体。本发明的磁性体的剩余磁通密度Br为11kG以上，矫顽力HcJ为5kOe以下，为了使剩余磁通密度Br为0所需要的外部磁场为1.10HcJ以下。...
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