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本发明公开了一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法，先对硅片进行初步清洗，然后采用低浓度的无机碱溶液对硅片表面进行微量去厚清洗，将硅片表层碎晶层进行反应去除2～5微米，并使表面镶嵌物剥离，这样既保证了硅片表面的洁净度，又保留了硅片外吸杂功能，达...
该专利属于浙江长兴众成电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江长兴众成电子有限公司授权不得商用。

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