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本发明提出了一种引上法生长YVO4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法。该生长设备设置温度控制系统和后加热系统；温度控制系统通过加热功率实现对加热系统的稳定控制；后加热系统为在熔融坩埚上端设置后加热金属片；保温系统为在熔融坩埚上端设置多...
该专利属于嘉兴和讯光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴和讯光电科技有限公司授权不得商用。

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