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多层衬底结构及其制造方法技术
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文档序号:9079807
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一种制造多层衬底结构的方法,例如CSOI晶片结构(空腔-SOI,绝缘体上的硅)包括获得第一和第二晶片,如两个硅晶片,其中至少一个晶片可以可选地设置有材料层如氧化物层(302,404),在第一晶片的结合侧形成空腔(306,406),沉积,优选...
该专利属于VTT技术研究中心所有,仅供学习研究参考,未经过VTT技术研究中心授权不得商用。
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