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本发明公开了一种微构造硅雪崩二极管的制备方法，含以下步骤：（1）在单晶硅衬底上通过激光刻蚀掺杂硫元素，得到微构造硅；（2）在微构造硅表面涂覆一层SiO2保护层；（3）在单晶硅衬底上部和下部分别引出阳极引线和阴极引线，制成微构造硅雪崩二极管。...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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