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本发明涉及半导体结构及其形成方法。在绝缘体上半导体（SOI）衬底上形成一次性电介质结构，使得该一次性电介质结构的所有物理暴露的表面都是电介质表面。半导体材料被选择性地沉积在半导体表面上，而任何半导体材料在电介质表面上的沉积被抑制。在形成至少...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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