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一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS?SCR器件，属于电子技术领域。本发明在传统集成电路芯片ESD防护用LDMOS?SCR结构基础上集成一个低压MOS器件，通过所述低压MOS器件来限制内嵌SCR阳极注入的空穴电流，从而提高维持电压Vhol...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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