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本发明公开了一种半导体器件芯片级封装方法，包括以下步骤：在半导体芯片的焊盘和钝化层上依次形成保护层和种子层；在种子层上形成金属再配线层；在金属再配线层上形成掩膜层，并在掩膜层上开设用于暴露金属再配线层的开口；对上述开口部位的金属再配线层进行...
该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。

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