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本实用新型涉及一种圆片级三维电容结构，属于半导体集成电路制造领域。其包括衬底（100），所述衬底（100）的上表面设置钝化层（200）和若干个金属凸块，所述金属凸块包括若干个金属凸块Ⅰ（301）和若干个金属凸块Ⅱ（302），所述金属凸块的外...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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