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一种利用PLD技术在IBAD-MgO基带上快速制备简化单一CeO2缓冲层的方法，能够在外延生长YBCO超导层所必需的单一取向高织构度的缓冲层结构中不使用外延同质MgO层就能获得优异的结晶取向性，实现YBCO超导带材制备工艺中，缓冲层制造工艺...
该专利属于上海超导科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超导科技股份有限公司授权不得商用。

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