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本实用新型公开了一种FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构,该改良结构在上模底座的成型面上间隔固设有横截面呈长条形结构的第一、二压块,且该长条形结构的两端均朝同向弯折延伸形成足部,第一压块的两足部朝向第二压块两足部的背面,以成型上模的使用方向...该专利属于昆山尼赛拉电子器材有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过昆山尼赛拉电子器材有限公司授权不得商用。
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