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一种金属氧化物半导体器件，其包括金属氧化物有源层、栅极介电层和低陷阱密度材料层。所述低陷阱密度材料层夹在所述金属氧化物有源层与所述栅极介电层之间。所述低陷阱密度材料层具有与所述金属氧化物有源层的主表面平行并接触的主表面，以与所述金属氧化物有...
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