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本申请公开一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施例包括：电子渡越层；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；二维电子气抑制层，形成在电子供应层的上方；绝缘膜，形成在二维电子气抑制层和电子渡越层的上方；以及栅极电极，形成在绝...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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