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公开一种具有纳米管层的半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件（10）的方法包括在衬底上形成第一导电层（14、16）。在第一导电层上形成具有第一开口（20）的介电层（18）。在第一介电层上以及第一开口内沉积种层（22）。由来自第一介电层以...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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