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一种有机物层如底层光刻胶材料层的刻蚀方法,所述刻蚀方法包括:将待刻蚀基片放入等离子反应腔,所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层;通入反应气体到等离子反应腔;向反应气体施加射频电能点燃等离子体,对所述基片进行刻蚀;其中所述反应气体包括主刻蚀气体...该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
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一种有机物层如底层光刻胶材料层的刻蚀方法,所述刻蚀方法包括:将待刻蚀基片放入等离子反应腔,所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层;通入反应气体到等离子反应腔;向反应气体施加射频电能点燃等离子体,对所述基片进行刻蚀;其中所述反应气体包括主刻蚀气体...