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本发明的一些实施例涉及改进的硅碳膜结构和方法。公开了一种改进的硅碳膜结构。该膜结构包括硅碳和硅的多个层。该多个层形成具有增加的代位碳含量的应力膜结构，并且用于诱发改善特定类型的场效应晶体管的载流子迁移率的应力。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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