温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流电极与隧穿...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。