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紧凑芯片中的长半导体激光腔制造技术
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文档序号:8963189
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通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面,长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中,通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导,沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。...
该专利属于宾奥普迪克斯股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宾奥普迪克斯股份有限公司授权不得商用。
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