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本发明提供了一种光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法。所述光电二极管的制造方法包括：在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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