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本发明提供一种布线简便的DDR1匹配电阻的匹配方法。目前为了获得波形良好的数据信号，一般做法是在DDR1SDRAM所有信号线接上拉至VTT的匹配电阻，信号线上串接10~35欧姆匹配电阻。此种做法将会使PCB布线困难，单板的BOM成本增加。本...
该专利属于南京欧帝科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京欧帝科技有限公司授权不得商用。

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