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本发明公开了一种非极性a面GaN薄膜生长方法，包括如下步骤：(1)将a面6H-SiC衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，通入氢气与氨气的混合气体，对衬底基片进行热处理，反应室的真空度小于2×10-2Torr，加热温度为900-...该专利属于上海萃智科技发展有限公司;厦门产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海萃智科技发展有限公司;厦门产业技术研究院授权不得商用。