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本发明的实施例提供一种形成电子熔断器或通常所称的电熔断器的方法。该方法包括在公共半导体衬底的顶部上一起形成多晶硅结构(201/200)和场效应晶体管(FET)结构，FET结构具有牺牲栅极电极(101)；将至少一种掺杂剂注入到多晶硅结构(20...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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