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本发明公开了一种零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法，主要解决现有技术对材料的浪费的问题并且提高了SiC外延层质量，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入SH4；当温度达到158...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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