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本发明涉及光子器件技术领域，具体是一种金属键合的垂直耦合光栅耦合器及其制备方法。所述光栅耦合器包括：一硅片或玻璃片构成的载体片；一金属键合层兼作反射镜层；一DVS-BCB层构成的条形波导、锥形波导和亚微米波导三者的下限制层；一硅层构成的条形...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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