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本发明公开一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，构成该铁磁多晶薄膜的材料为Zn1-x(TM)xO；其中，TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn，且对于Cu，0＜x＜0.03；对于Co和Mn，0＜x＜0.08。本发明还公开了上述过渡金属掺杂ZnO...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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