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本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜的制造工艺，为三步法，包括：在200~400℃条件下，用30~100mA的电流在基底上蒸镀上第一层薄膜，主要成分为铟镓硒和少量的铜，形成贫铜富铟镓区域；在300~600℃的条件下，用80~150mA的电流蒸镀上第...该专利属于无锡舒玛天科新能源技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡舒玛天科新能源技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜的制造工艺，为三步法，包括：在200~400℃条件下，用30~100mA的电流在基底上蒸镀上第一层薄膜，主要成分为铟镓硒和少量的铜，形成贫铜富铟镓区域；在300~600℃的条件下，用80~150mA的电流蒸镀上第...