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一种具有大面积的极板和小的占用面积的半导体电容器（100，150），其中通过在晶片（310）中形成开口（320），通过位于从晶片（310）分离的第一掩膜板（214A）沉积第一金属原子（326），以便在开口（320）中形成第一金属层（330）...
该专利属于美国国家半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国国家半导体公司授权不得商用。

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