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一种硅通孔检测结构及检测方法,所述硅通孔检测结构包括:半导体基底,位于所述半导体基底内的硅通孔;位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层;位于所述层间介质层表面的检测金属层,所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。利用所述检测电压检测所述硅...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种硅通孔检测结构及检测方法,所述硅通孔检测结构包括:半导体基底,位于所述半导体基底内的硅通孔;位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层;位于所述层间介质层表面的检测金属层,所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。利用所述检测电压检测所述硅...