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本发明涉及鳍片式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。根据本发明的制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成图案化的硬掩模；形成伪栅以包覆该硬掩模的在待形成的沟道区正上方的部分；利用该硬掩模和该伪栅作为掩模，刻蚀半导体衬底；在半导体...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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